- 发明专利一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201710842368.6
- 本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括:对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散,得到的磷扩散层形成发射结;对所述磷扩散层进行热氧化,形成隧道氧化层;在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜;去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层,正面沉...
- 更新:2018-01-31 13:11:42 查阅全文...
- 发明专利用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201710305222.8
- 本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括如下步骤:依次进行三步扩散和推进,其中,第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃,第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃,第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃,于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实...
- 更新:2017-08-23 11:25:18 查阅全文...
- 发明专利一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201611073643.4
- 本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池,包括单晶硅片,在所述一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层...
- 更新:2017-05-17 12:06:51 查阅全文...
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