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改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺 CN201710470048.2

本发明涉及太阳能电池片技术领域,尤其是一种改善PERC高效电池片外观小白点的退火工艺,该退火工艺包括以下步骤:a:将炉管温度调低为550℃,然后将硅片放入炉管内,随后通入50001000sccm氧气,与硅片表面杂质发生氧化反应;b:再向炉管内通入50001000sccm氮气进行吹扫,...

/faming/24354.html 类别: 发明专利 日期: 2017-10-18
一种高效低耗水封锂离子电池薄膜萃取工艺 CN201710608088.9

一种高效低耗水封萃取工艺,属于电池薄膜湿法制备萃取的领域,将电池薄膜置于装有萃取剂的萃取设备中进行萃取,包括储有萃取剂的封闭式的萃取槽、设置于萃取槽内输送薄膜的导辊、萃取剂加热装置,薄膜没入萃取剂中,萃取剂上层还设置有水封层,萃取槽内设置有一组高低错落排...

/faming/24360.html 类别: 发明专利 日期: 2017-10-18
一种太阳能电池用硅片及其镀膜工艺与镀膜设备 CN201710436010.3

本发明公开了一种太阳能电池用硅片,其包括有硅片本体;所述硅片本体的端面之上依次设置有氧化硅膜层、第一氮化硅膜层、第二氮化硅膜层与第三氮化硅膜层;本申请中的太阳能电池用硅片及其镀膜工艺与镀膜设备,其可使得太阳能电池用硅片进行镀膜处理过程中的镀膜效果以及效率...

/faming/24336.html 类别: 发明专利 日期: 2017-09-27
一种降低多晶电池片漏电的工艺方法 CN201710355691.0

本发明涉及一种降低多晶电池片漏电的工艺方法,在现有工艺中增加了槽式清洗的步骤,硅片在经过槽式清洗后,进一步清洗了硅片表面的金属离子和有机污染,降低了硅片内部的漏电,提升了成品率,提升了RSH,进一步提升了电池片的转换效率。 专利类型:发明 专利号: 2017103556...

/faming/24318.html 类别: 发明专利 日期: 2017-09-13
一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺 CN201710246457.4

本发明公开了一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺。该钙钛矿太阳能电池结构包括依次层叠的衬底、透明电极、富勒烯或其衍生物、钙钛矿吸光层和碳电极,其中富勒烯或其衍生物做为电子传输层,钙钛矿吸光层是由具有钙钛矿结构的光伏材料构成。制备工艺包括在衬底上依次制备...

/faming/24312.html 类别: 发明专利 日期: 2017-09-13
一种太阳能电池板及其制作工艺 CN201710182651.0

本发明提供了一种太阳能电池板及其制作工艺,该太阳能电池板包括从上到下依次层叠设置的上电极度层、N型层、PN结、P型层、下电极度层及纤维板,纤维板上下面分别设置铜模结构。该制作工艺包括提供硅材料溶液;提供导电溶剂,并将导电溶剂加入硅材料溶液;提供一纤维板,并在...

/faming/24308.html 类别: 发明专利 日期: 2017-09-06
一种硬壳电池壳体密封结构及其加工工艺 CN201710419111.X

本发明公开一种硬壳电池壳体密封结构及加工工艺,密封结构由壳体、盖帽以及密封圈组成,所述壳体具有一开口部,所述盖帽可由所述壳体外部罩设在所述开口部处,所述盖帽包括端板以及由所述端板向所述壳体方向延伸的环形密封边,所述密封圈设置在所述环形密封边内壁与所述壳体...

/faming/24298.html 类别: 发明专利 日期: 2017-08-30
8021A合金高延伸锂离子电池用铝箔生产工艺 CN201710323293.0

本发明涉及一种8021A合金高延伸锂离子电池用铝箔,锂离子电池用铝箔的成分及其质量百分比为:Fe:1.1~1.7%,Si:0.4%,Cu:0.3%,Mn:0.3~0.7%,Mg:0.1%,Zn:0.1%,其他:单个成分:0.05%,合计:0.15%,其余为Al;生产工艺包括如下步骤:(1)熔炼、铸轧;(2)...

/faming/24294.html 类别: 发明专利 日期: 2017-08-30
一种纳米激光鞋以及激光鞋锂离子电池制备工艺 CN201710319139.6

本发明公开了一种纳米激光鞋以及激光鞋锂离子电池制备工艺,包括鞋垫和鞋底,龙骨的内部安装有上盒盖和下盒盖,上盒盖和下盒盖的内侧设有纳米激光板,纳米激光板上设有纳米激光发射器,纳米激光板的下方设有锂离子电池,按正极片隔膜新型材料PPC负极片隔膜自上而下的顺序放...

/faming/24283.html 类别: 发明专利 日期: 2017-08-23
用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201710305222.8

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括如下步骤:依次进行三步扩散和推进,其中,第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃,第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃,第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃,于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实...

/faming/24282.html 类别: 发明专利 日期: 2017-08-23
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