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用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201710305222.8


本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括如下步骤:依次进行三步扩散和推进,其中,第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃,第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃,第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃,于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实现了四探针测试条件下90‑100Ω/sq的高方阻,5点测试均匀性更好,有效降低了结深,减少了表面复合,配合合适的丝网印刷工艺,可以有效提升电池的开路电压和短路电流,使电池效率至少有0.1%的绝对值提升。该工艺过程操作简单,没有增加生产成本,易于工业化推广。
专利类型:发明
专利号:201710305222.8
专利申请日:2017.05.03
公开(公告)日:2017.08.22
申请(专利权)人:北京捷宸阳光科技发展有限公司;
发明(设计)人:张华灿; 赵钊; 刘德臣; 王军; 顾艳杰;
国别省市:北京;11


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