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太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法 CN201710660796.7


本发明涉及一种太阳能电池背面局部金属接触方法,其包括如下步骤:1)提供掩膜版;2)采用掩膜版在硅片的背面沉积钝化膜,在硅片上形成电极接触区以及钝化区;3)在电极接触区上形成背电极。上述太阳能电池背面局部金属接触的方法无需在硅片背面开膜,就能够实现太阳能电池背面局部金属接触,不需要额外投入激光设备。另,掩模版图案可自由选择,保证较为理想的局部金属接触效果。本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法。
专利类型:发明
专利号:201710660796.7
专利申请日:2017.08.04
公开(公告)日:2017.12.26
申请(专利权)人:张家港协鑫集成科技有限公司; 协鑫集成科技股份有限公司; 协鑫集成科技(苏州)有限公司; 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司; 徐州鑫宇光伏科技有限公司;
发明(设计)人:董建文; 张淳; 盛健; 王伟; 杨亚娣; 叶权华; 蔡文浩; 魏文文; 麻增智; 钱小立; 张一波;
国别省市:江苏;32


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