一种新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池 CN201210185805.9

专利类型：发明
专利号：201210185805.9
专利申请日：2012.06.07
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：保定天威薄膜光伏有限公司
发明（设计）人：朱红兵;黄跃龙;王颖;王志强;马云祥;冯燕;贺天太
国别省市：河北;13
本发明公开了一种新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池，实现高的短路电流和光电转化效率。新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池包含背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料；背反射薄膜至少包含一层银金属薄膜、或者铝金属薄膜、或者铜金属薄膜、或者含有银、铝、铜金属的合金薄膜，背反射薄膜被制备在封装背板上，薄膜可以通过物理或者化学方法制备得到，总的膜厚控制在10纳米到1毫米之间；硅基薄膜电池为所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。封装背板上的背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明简化了电池制备工艺、同时提高了节拍、增加了产能、降低电池的制备成本。