一种新型结构太阳电池及其制作方法 CN201410447706.2
本发明公开了一种新型结构太阳电池及其制作方法，包括正面导电电极、减反射膜层、n++发射极、p硅基底、p+背面电场、背场和背面电极，在所述减反射膜层上设有透明导电膜层。其步骤如下：选取p型晶体硅片，进行表面织构化；进行磷轻扩散形成n+层；进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃；在n+层上沉积减反射膜；在减反射膜上进行局部开膜；在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层；在背面印刷背面电极和背面场；经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触；在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。
专利类型：发明
专利号：
201410447706.2专利申请日：
2014.09.04公开（公告）日：
2015.02.25申请（专利权）人：
浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司发明（设计）人：
金井升; 蒋方丹; 金浩; 郭俊华; 陈康平国别省市：
浙江;33
