一种锑基化合物薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201310163431.5

本发明公开了一种锑基化合物构成的薄膜太阳能电池及其制备方法，属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒或生产工艺复杂的问题。本发明的锑基化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及在其上依次沉积的背电极层、P型吸收层、N型缓冲层、氧化物薄膜窗口层和金属栅电极，P型吸收层为CuXSbyβZ材料，其中β为S或Se。本发明中，P型吸收层的材料选自地壳中丰度较高的元素，资源丰富且因不含有毒成分而对环境友好，它们的禁带宽度范围约为0.5～2.5ev，光谱响应范围较广，吸光系数高达105cm-1，由其构成的化合物薄膜太阳能电池具有优异的光伏性能且对环境友好并有望实现低成本生产的优点。
专利类型：发明
专利号：201310163431.5
专利申请日：2013.05.07
公开（公告）日：2014.11.12
申请（专利权）人：华中科技大学
发明（设计）人：唐江;韩珺;杨波;周英;王亮;刘新胜;冷美英
国别省市：湖北;42