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一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法 CN201310513237.5


本发明公开了一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法,包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤,石墨框环绕硅片开透气孔,在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住,在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜,工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面,同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。本发明不需要正反面进行两次镀膜,同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序,而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果,最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。
专利类型:发明
专利号:201310513237.5
专利申请日:2013.10.25
公开(公告)日:2014.01.15
申请(专利权)人:浙江光普太阳能科技有限公司
发明(设计)人:倪建林
国别省市:浙江;33


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