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N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法 CN201310627344.0


本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度,并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积;推进扩散阶段,将表面沉积后的硅片升温至预定扩散温度,推进扩散,并在升温和推进扩散的过程中通入氧气和氮气;以及后氧化阶段,将扩散后的硅片降温,并在降温的过程中通入氧气和氮气。该沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度,减小了表面的复合速率和晶格损伤,将方阻标准差(STDEV)控制在2.0左右,改善了硼扩散方阻均匀性,提高了电池转换效率,也降低了硼源耗量,避免了生成过多硼硅玻璃(BGS),节约了成本。
专利类型:发明
专利号:201310627344.0
专利申请日:2013.11.29
公开(公告)日:2014.03.12
申请(专利权)人:英利集团有限公司
发明(设计)人:袁广锋;何广川;陈艳涛;李雪涛
国别省市:河北;13


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