在太阳能电池中产生二维图式掺杂的方法 CN201280059584.9
本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
专利号：
201280059584.9专利申请日：
2012.10.08公开（公告）日：
2014.08.06申请（专利权）人：
瓦里安半导体设备公司发明（设计）人：
约翰·W·葛拉夫;班杰明·B·里欧登;尼可拉斯·P·T·贝特曼;约瑟·C·欧尔森国别省市：
美国;US
