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一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法 CN201210274130.5


本发明涉及一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法,使用两个内径不同的中空石墨坩埚,使得两个坩埚相互嵌套,其中一个石墨坩埚放置硅源,另一个石墨坩埚放置镀铁的硅片作为基底,并将两个坩埚放置在适当位置;迅速将温度升高至950摄氏度,保持温度5分钟后降低感应炉功率,使温度在数秒内下降至850摄氏度左右,继续保持5分钟后关闭电源。在硅片基底上可以得到三维纳米结构,具体为较粗的硅纳米线构成三维结构的骨架,在骨架间隙内填充有极细的硅纳米丝状物。所得材料具有较大的比表面积和牢固的三维骨架,因此在锂电池和高性能传感器中有较好的应用。
专利类型:发明
专利号:201210274130.5
专利申请日:2012.08.02
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.11.28
分类号:
申请(专利权)人:上海交通大学
发明(设计)人:张亚非;钱炳建;李海蓉;苏言杰;魏浩
国别省市:上海;31


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