多量子阱太阳能电池及多量子阱太阳能电池的制造方法 CN201380004255.9

以低成本提供一种抑制由于多量子阱太阳能电池中的光吸收的缘故而生成的载流子的再结合、并具有高的光电转换效率的多量子阱太阳能电池及多量子阱太阳能电池的制造方法。多量子阱太阳能电池具有基板、p型半导体层、势垒层、阱层、n型半导体层以及电极，其中，上述势垒层以及阱层由具有纤锌矿型原子排列的结晶形成，并且，上述阱层由包含从In、Ga和Al中选择的至少一种元素以及Zn元素的金属氮氧化物构成，在上述阱层中产生压电电场。根据该多量子阱太阳能电池，能够抑制由于光吸收的缘故而生成的载流子的再结合，并能够以低成本提供具有高的光电转换效率的多量子阱太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201380004255.9
专利申请日：2013.03.05
公开（公告）日：2014.08.20
申请（专利权）人：独立行政法人科学技术振兴机构
发明（设计）人：板垣奈穗;白谷正治;内田仪一郎
国别省市：日本;JP