- 发明专利一种异质结太阳能电池的硅片处理方法 CN201610150143.X
- 本发明公开了一种异质结太阳能电池的硅片处理方法，包括如下步骤：先对硅片进行去损伤处理；再对硅片进行退火处理，诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移在硅片形成洁净区；然后让硅片进行两面制绒处理，形成金字塔绒面；再进行化学清洗，去除化学氧化层和表面残余，并钝化硅片...
- 更新：2017-09-27 12:40:06 查阅全文...
- 发明专利一种异质结太阳能电池及其制备方法 CN201610885573.6
- 本发明涉及太阳能电池领域。本发明公开了一种异质结太阳能电池，包括：晶硅衬底、第一本征层、第二本征层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一掺杂氧化钛膜层、第二掺杂氧化钛膜层、第一透明导电层和第二透明导电层，第一掺杂氧化钛膜层和第二掺杂氧化钛膜层分别设置在第一掺杂层...
- 更新：2017-01-04 15:52:02 查阅全文...
- 发明专利异质结太阳能电池及其制备方法 CN201610316392.1
- 本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及位于另一侧的第二电极；晶体硅片为N型，第一选择层为空穴选择性接触层，其功函数5.3eV；或，晶体硅片为P型，第一选择...
- 更新：2016-09-07 12:10:24 查阅全文...
- 发明专利背接触异质结太阳电池及其制备方法 CN201610028152.1
- 本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电...
- 更新：2016-04-20 08:36:38 查阅全文...
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