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发明专利一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺 CN201710957062.5
本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺,包括以下步骤:晶硅表面双面制绒,慢提拉生长隧道氧化层单面硼深扩散另外一面磷扩散去除两边的硼磷硅玻璃正面镀氮化硅膜正面印刷负电极背面镀透明导电薄膜背面印刷正电极,该制作工艺简单易行,制作出的太阳电池结构简单紧...
更新:2018-03-09 10:57:07  查阅全文...
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