- 发明专利一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺 CN201710957062.5
- 本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺,包括以下步骤:晶硅表面双面制绒,慢提拉生长隧道氧化层单面硼深扩散另外一面磷扩散去除两边的硼磷硅玻璃正面镀氮化硅膜正面印刷负电极背面镀透明导电薄膜背面印刷正电极,该制作工艺简单易行,制作出的太阳电池结构简单紧...
- 更新:2018-03-09 10:57:07 查阅全文...
- 发明专利一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 CN201610649477.1
- 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极,该晶硅太阳电池正面电极为贱金属复合电极,底层为阻扩散层镍电极,中层为导电层铜电极,顶层为抗氧化层铝锡电极。制备晶硅太阳电池贱金属正面电极的方法采用纳米镍粉、纳米铜粉、纳米铝粉、纳米锡粉贱金属颗粒替代银粉作为导电功能相,结合...
- 更新:2016-11-09 12:49:36 查阅全文...
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