- 发明专利无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法 CN201710184594.X
- 本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法,透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上,P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极,N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区,透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜...
- 更新:2017-08-02 12:24:16 查阅全文...
- 发明专利背接触异质结太阳电池及其制备方法 CN201610028152.1
- 本发明公开了一种全背型异质结太阳电池,包括硅基体层,其特征在于:在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层,在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层,在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层,P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电...
- 更新:2016-04-20 08:36:38 查阅全文...
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