一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法 CN202010528210.3
本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法，该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括：PI膜；PI膜上表面设有P型电极；P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层；N型GaAs接触层上的N型电极与减反膜。本发明使用柔性PI膜作为柔性砷化镓太阳电池芯片的支撑衬底，弯曲半径更小、功重比更高，对比无衬底工艺，保证了电池片后续封装与布片的可行性，采用正负电极同向结构，便于焊接。
专利类型：发明
专利号：
202010528210.3
专利申请日：
2020.06.11
公开（公告）日：
2020.09.29
申请（专利权）人：
中山德华芯片技术有限公司;
发明（设计）人：
杨文奕; 王兵; 何键华; 黄嘉敬; 曾桂平;
国别省市：
广东;44
