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一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法 CN201910434847.3


本发明涉及一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的隧道结总层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极;所述隧道结总层包括至少两层隧道结层,所述隧道结层包括从内到外设置的氧化层和n+掺杂多晶硅层。本发明使用多层隧道结层结构,满足低金属接触复合、低非金属接触区域复合、低接触电阻率,并由不同的单层隧道结分开满足,不需要考虑三者之间的平衡和制约。
专利类型:发明
专利号:201910434847.3
专利申请日:2019.05.23
公开(公告)日:2019.07.30
申请(专利权)人:泰州中来光电科技有限公司;
发明(设计)人:林建伟; 包杰; 吴伟梁; 陈嘉; 陈程; 刘志锋;
国别省市:江苏;32


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