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双面型太阳能电池结构的制造方法 CN201611216369.1


本发明公开一种双面型太阳能电池结构的制造方法,包括下列步骤:在半导体基材的第一表面上进行硼扩散的制造过程步骤,以形成P+型区域,并且在所述P+型区域上形成硼硅玻璃层;移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层,以曝露所述P+型区域;在所述P+型区域上形成第一抗反射层;在所述第一抗反射层上形成牺牲层;在所述半导体基材的第二表面上进行磷扩散的制造过程步骤,以形成N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层;移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域,并且同时移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层;以及,在所述N+型区域上形成第二抗反射层。牺牲层可以保护半导体基材的第一抗反射涂层,以避免针孔或缺陷的形成。
专利类型:发明
专利号:201611216369.1
专利申请日:2016.12.26
公开(公告)日:2017.08.01
申请(专利权)人:英稳达科技股份有限公司;
发明(设计)人:黄昱翔; 程昱达; 陈传祺; 林佳龙; 曹金豹; 简荣吾; 烟浩;
国别省市:china台湾;71


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