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一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺 CN201710192931.X


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺,采用在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜;溅射方法:对晶体硅基板表面进行预清洗;将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作;将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内,作为基材,采用单质铝作为靶材,充入硼氢烷和惰性气体的混合气对基材施加负偏压,进行溅射,得到硼铝化合物减反射膜。本发明镀膜材料新颖,可有效改善晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
专利类型:发明
专利号:201710192931.X
专利申请日:2017.03.28
公开(公告)日:2017.07.25
申请(专利权)人:泉州市中知信息科技有限公司
发明(设计)人:洪铮铮;
国别省市:福建;35


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