一种低杂质含量的太阳能电池制备方法 CN201410673917.8

本发明公开了一种低杂质含量的太阳能电池制备方法，采用在硅片的正背面形成氧化硅层进行快速退火工艺，并且结合热扩散工艺，使硅片中的杂质被激活并迁移至氧化硅层，再清除富集杂质的氧化硅层，从而大幅减少太阳能电池杂质含量，有效提高硅片的平均少子寿命和电池光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201410673917.8
专利申请日：2014.11.21
公开（公告）日：2015.04.22
申请（专利权）人：广东爱康太阳能科技有限公司
发明（设计）人：石强; 秦崇德; 方结彬; 黄玉平; 何达能
国别省市：广东;44