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一种晶硅电池及其制作方法 CN201410839687.8


本发明提供了一种晶硅电池及其制作方法,包括如下步骤:制绒、扩散制结、刻边、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、印刷电极、烧结及测试分选,在上述步骤中引入二次刻边工艺,去除晶硅电池片边缘的氮化硅层,提升晶硅电池的并联电阻,从而改进了晶硅电池的光电转换效率。另外,上述二次刻边工艺可选择在淀积氮化硅减反射层工艺后引入,去除电池边缘的氮化硅层;或者在烧结工艺后引入去除电池边缘的氮化硅层。本发明方法简单,易操作,且不受其它工艺步骤限制。
专利类型:发明
专利号:201410839687.8
专利申请日:2014.12.30
公开(公告)日:2015.04.22
申请(专利权)人:浙江贝盛光伏股份有限公司
发明(设计)人:陈作庚; 吕文辉; 龚熠
国别省市:浙江;33


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