一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法 CN201410771133.9
一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法，依次包括以下步骤：第一步，去除硅片表面沉积的SiNx膜层并清洗；第二步，对硅片进行彻底的清洗；第三步，对清洗后的硅片进行PECVD镀膜、丝网印刷、烧结并测试分选。其有益效果：不需要对不良片进行重新制绒，能保证小绒面，确保镀膜后的外观及效率；减少制绒、扩散以及刻蚀等工序，减少破片，并降低成本。
专利类型：发明
专利号：
201410771133.9专利申请日：
2014.12.11公开（公告）日：
2015.04.01申请（专利权）人：
东方日升新能源股份有限公司发明（设计）人：
王大卫; 崔红星; 张文锋; 胡应全; 林海峰国别省市：
浙江;33
