太阳能电池及其制造方法 CN201280073884.2

本目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。
专利类型：发明
专利号：201280073884.2
专利申请日：2014.11.19
公开（公告）日：2015.02.11
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：西山绫; 渕上宏幸; 时冈秀忠
国别省市：日本;JP