硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池 CN201310140670.9

本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为1014~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
专利类型：发明
专利号：201310140670.9
专利申请日：2013.04.23
公开（公告）日：2014.10.29
申请（专利权）人：晶澳太阳能有限公司;河北宁晋松宫半导体有限公司
发明（设计）人：杨伟强;魏红军;冯立军;曹建民
国别省市：河北;13