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铜锌锡硫吸收层薄膜及铜锌锡硫太阳能电池的制备方法 CN201410021101.7


本发明公开了铜锌锡硫吸收层薄膜的制备方法,采用电化学共沉积CZTS前驱体后硫化得到CZTS太阳能电池吸收层。本发明进一步公开了铜锌锡硫薄膜太阳能电池的制备方法。本发明可在常温常压下操作,易调控,避免H2S污染,设备简单,成本节约,制得的铜锌锡硫吸收层薄膜表面光滑且非常致密,制得的电池效率高,本发明可广泛用于大规模工业生产。
专利类型:发明
专利号:201410021101.7
专利申请日:2014.01.17
公开(公告)日:2014.04.30
申请(专利权)人:华东师范大学
发明(设计)人:陶加华;孙琳;杨平雄;褚君浩
国别省市:上海;31


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