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一种晶体硅背结太阳能电池制备方法 CN201310544541.6


本发明的目的是针对现有背结太阳能电池制备工艺流程复杂、成本高、周期长的缺陷提供一种晶体硅背结太阳能电池制备方法。主要工艺流程为,首先在硅片衬底背面重掺杂直接形成发射区,再进行表面介质层钝化,然后进行激光掺杂工艺形成集电区,制作电极、电极栅线、母线,最后在硅片衬底正面纳米颗粒陷光结构,即制备得晶体硅背结太阳能电池。该方法采用激光掺杂工艺,在激光打孔的同时完成与发射区极性相反的掺杂源在集电极接触孔内的扩散,形成与发射区极性相反,与硅片衬底极性相同的掺杂集电区;简化了工艺流程,有效缩短工艺周期、降低了工艺成本、提高效率;采用纳米颗粒陷光结构陷光效果好、有效提升太阳能电池性能。
专利类型:发明
专利号:201310544541.6
专利申请日:2013.11.06
公开(公告)日:2014.03.05
申请(专利权)人:电子科技大学
发明(设计)人:张博;谢文旭;杨键烽;刘帅
国别省市:四川;51


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