一种含复合DBR的Ge基GaAs薄膜单结太阳能电池及其制备方法 CN201210218156.8

本发明提供一种含复合DBR的Ge基GaAs薄膜单结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池的外延结构依次包括Ge衬底、GaAs缓冲层，AlGaAs/AlAs DBR，AlInP/AlGaInP DBR，AlGaAs背场层，GaAs n-基层，GaAs发射层，AlGaAs窗口层，GaAs电极接触层；其中，AlGaAs/AlAs DBR依次是可反射600nm、650nm、700nm三个波段光谱的反射层构成的复合结构，采用MOCVD法制得。本发明使用半导体GaAs薄膜材料生长代替常规的单晶硅、多晶硅太阳能电池，转换效率达25%，显著提高了GaAs薄膜单结太阳能电池转化效率。
专利类型：发明
专利号：201210218156.8
专利申请日：2012.06.28
公开（公告）日：2014.01.15
申请（专利权）人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
发明（设计）人：夏伟;于军;吴德华;苏来发;张新
国别省市：山东;37