一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法 CN201310426654.6
本发明提供一种利用P型硅球作为硼源制备局部背场的方法，包括在晶硅太阳能电池背面，利用P型硅球配制硅墨或浆料作为硼源，采用喷墨打印或者丝网印刷来转移图案，经烘干，退火形成带硼掺杂的局部背场，再经沉积背表面钝化膜，印刷银浆，最后快速烧结使得背面电极银浆和硅硼掺杂区域形成欧姆接触。该工艺能跟现行生产工艺兼容，不需要增加新设备，生产成本低廉，适合工业化生产。
专利类型：发明
专利号：
201310426654.6专利申请日：
2013.09.18公开（公告）日：
2014.01.08申请（专利权）人：
南京航空航天大学发明（设计）人：
汪炜;洪捐;张伟;代建东国别省市：
江苏;32
