抗PID效应的太阳能电池片及其制造方法 CN201310201143.4

　
本发明属于光伏太阳能电池的制造技术，涉及一种抗PID效应的太阳能电池片及其制造方法。其电池片包括有晶体硅衬底，以及依次沉积在晶体硅衬底上的SiNx钝化层和SiNx透光层；所述透光层上还沉积有一层SiNx抗PID效应层；通过改变沉积设备中的沉积工艺参数，可以改变各沉积层的折射率和厚度，所述钝化层折射率为2.15－2.25，厚度为10－40nm；透光层折射率为2.0－2.15，厚度为40－70nm；抗PID效应层折射率为2.20－2.45，厚度为5－20nm。本发明抗PID效果好、并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产、设备投入小、生产成本。
专利号：201310201143.4
专利申请日：2013.05.27
公开（公告）日：2013.10.02
申请（专利权）人：镇江大全太阳能有限公司
发明（设计）人：张良;李良;姚剑;高贝贝;余东华;毛海燕
国别省市：江苏;32