包括选择性发射极的太阳能电池的制造方法 CN201180048018.3

　
制造包括选择性发射极的太阳能电池的方法，包括：在太阳能电池基底（50）的一个表面的至少一部分上形成（10，12，14）含掺杂物的玻璃层（55）；在太阳能电池基底（50）被玻璃层（55）所覆盖的区域上，通过把掺杂物从玻璃层（55）扩散到太阳能电池基底（50）中，形成（16）轻掺杂发射极（58）；通过对位于玻璃层（55）之下的太阳能电池基底（50）的区域进行局部加热（18）使来自玻璃层（55）的额外的掺杂局部扩散（18）到太阳能电池基底（50）中，以局部地形成（18）高掺杂发射极区（60）；其中，在太阳能电池基底（50）的表面的至少一部分上形成（10，12，14）的作为含掺杂物的玻璃层（55）的玻璃层（55）是这样的，即该层在玻璃层（55）的离太阳能电池基底（50）的表面较近的第一子层（52）中具有比在玻璃层（55）的离太阳能电池基底的表面较远的第二子层（54）中更低的掺杂物浓度。
专利号：201180048018.3
专利申请日：2011.08.02
公开（公告）日：2013.08.21
申请（专利权）人：森特瑟姆光伏股份有限公司
发明（设计）人：乔兰塔·奥考斯卡-奥策尔;乔格·伊森伯格;安德里亚斯·特佩;马蒂亚斯·盖格
国别省市：德国;DE