一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法 CN201310040589.3

一种含有掺杂工艺的铜锌锡硫薄膜制备方法，涉及光电材料及新能源材料领域，该方法可以有效解决铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层即铜锌锡硫薄膜的结晶性较差的问题，其步骤包括：a、提供一衬底；b、将铜、锌、锡三种金属沉积在衬底上，形成金属前躯体；c、在金属前躯体上沉积含有锑元素的膜层作为掺杂层；d、将金属前躯体及掺杂层在含硫的气氛下热处理，此过程中硫元素与铜锌锡形成铜锌锡硫薄膜。该方法改善了铜锌锡硫的结晶性，降低了结晶温度，提高了薄膜的质量，同时还降低了工艺难度和成本，具有很好的推广利用价值。
专利号：201310040589.3
专利申请日：2013.02.03
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.15
分类号：
申请（专利权）人：电子科技大学
发明（设计）人：向勇;张海涛;谢梦;吴露;闫宗楷
国别省市：四川;51