太阳能电池及其制造方法 CN201110350486.8

用作薄膜太阳能电池的吸收层的黄铜矿吸收层晶界的钝化方法，该方法基于将晶界被钝化的黄铜矿吸收层通过超高真空共蒸镀而获得。还公开了采用上述方法制造的太阳能电池,比于传统晶体硅太阳能电池，薄膜太阳能电池具有更低的生产成本。在不同的薄膜技术中，无论在实验室还是在工业生产中，基于黄铜矿吸收层的薄膜太阳能电池表现出了最高的效率。同时，在各种可能商业化的薄膜太阳能电池中，黄铜矿薄膜太阳能电池(多数为Cu(Inx， Ga1‑x)Se2)所达到的能量转换率也最高。概述本申请的一方面提供了太阳能电池，其包括晶界被钝化的黄铜矿吸收层。在黄铜矿吸收层上蒸镀窗口层，在所述窗口层上蒸镀前电极层，进而获得太阳能电池。其它相同的不含钠太阳能电池在制造CIGS吸收层的过程中没有进行钝化处理，相比于上述这些太阳能电池，本申请的太阳能电池获得了改进的电池性能。
专利类型：发明
专利号：201110350486.8
专利申请日：2011.10.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：香港中文大学
发明（设计）人：萧旭东;张撷秋;杨世航;朱家宽;邹承德;叶荏硕
国别省市：香港;HK