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一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法 CN201210533406.7


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法,所述钝化膜由上下两层SiOxNy薄膜组成,所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜,第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。这种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜克服了高温氧化对硅片少子寿命的损伤,也避免了SiNx膜中正电荷对背表面钝化的影响,极大的改善电池的开路电压和转换效率,且制备工艺简单,成本低廉,可以极大地降低电池片的处理成本,降低电池生产成本,易于实现大规模产业化应用。
专利类型:发明
专利号:201210533406.7
专利申请日:2012.12.12
公开(公告)号:
公开(公告)日:2013.3.13
分类号:
申请(专利权)人:泰通(泰州)工业有限公司
发明(设计)人:鲁伟明
国别省市:江苏;32


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