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一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 CN201210184225.8

本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法,先采用化学气相沉积,加热铜源、铟源、镓源使其转变为气相,经分解后沉积在衬底上形成铜铟镓金属预置层;然后将所述铜铟镓金属预置层经硒化烧结得到铜铟镓硒薄膜。与现有技术相比,本发明的优点在于对设备要求低,大大降低了制备成本,且金属预置层的沉积完全在大气环境中进行,操作简单,有利于大规模生产及光伏能源的开发利用。
专利类型:发明
专利号:201210184225.8
专利申请日:2012.06.06
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.10.17
分类号:
申请(专利权)人:华东师范大学
发明(设计)人:黄素梅;李志强;张衡
国别省市:上海;31


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