太阳能电池硅片的磷扩散工艺 CN201210162563.1

本发明涉及一种太阳能电池硅片的磷扩散工艺，先以变温(750-800℃)预沉积一层薄且均匀的P2O5，然后再以变温（800-850℃）进行推进的两步扩散法，其中低温淀积可以降低硅片表面的浓度，减少死层，降低了暗电流，低温情况下也更好的降低热损伤，减少热缺陷，开压Uoc比常规工艺高2-4mv；同时高温差（50-80℃）推进可以进一步提高了P的活性，使之产生更多的载流子，形成更加优质的PN结，使Uoc、Isc都大大提高，从而电池的光转换效率得到提升。
专利类型：发明
专利号：201210162563.1
专利申请日：2012.05.22
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.10.10
分类号：
申请（专利权）人：江苏顺风光电科技有限公司
发明（设计）人：陈剑锋;陆宁
国别省市：江苏;32