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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术45

001 芯片洗净装置和方法
002 可去除蚀刻制程后的残留聚合物及降低氧化物损失的方法
003 半导体器件的制造方法
004 一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管设计及制备工艺
005 肖特基势垒二极管的制造方法
006 制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
007 用于传送基片和在基片上安装半导体芯片的设备
008 检测接触窗蚀刻结果的方法
009 利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法
010 形成金属-绝缘层-金属电容器的方法
011 用于制造半导体器件的非氧化隔离衬致密化方法
012 浅槽隔离结构的形成方法
013 减少隔离元件对于主动区域的应力与侵蚀效应的方法
014 浅沟槽隔离的形成方法
015 形成浅沟渠隔离的方法
016 用单个掩模的浅沟道隔离方法
017 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
018 半导体存储装置中产生初始化信号的方法
019 防止氮化物内存晶胞被充电的制造方法及其装置
020 一种形成闪存晶胞的方法
021 压铸的功率器件及其制造方法
022 高性能冷却装置
023 半导体器件及其制造方法
024 半导体组件及其制造方法
025 具有平衡结构的构装集成电路
026 芯片上抖动的测量装置及方法
027 集成电路内建电感及利用P-N元件阻断寄生电流的结构
028 交叉点阵列中存储单元的隔离
029 互补金属氧化物半导体图像传感器
030 光传感器系统及影像读取方法
031 金属氧化物半导体场效应晶体管
032 金属氧化物半导体及其形成方法
033 纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法
034 薄膜晶体管阵列基板结构
035 肖特基势垒二极管及其制造方法
036 肖特基势垒二极管及其制造方法
037 电光装置和电子设备
038 氧化锌紫外光电探测器原型器件的制备方法
039 具有分散电流与提高发光面积利用率的发光二极管
040 有机发光器件
041 压电元件和装有压电元件的振荡变换器
042 防滑移卧式半导体晶片舟皿
043 掺杂半导体层的方法,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件
044 底栅型薄膜晶体管,其制造方法和使用该晶体管的液晶显示装置
045 电元件的封装和制造方法
046 电子装置及其制造方法
047 包括嵌入有电容器的陶瓷/有机混合衬底的电子组件以及制造方法
048 半导体器件和该器件的制造方法
049 密集阵列和电荷存储器件及其制造方法
050 在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件
051 薄膜晶体管的制造方法和液晶显示装置
052 通过使用保护层制造半导体结构的方法和半导体结构
053 剥离方法及半导体器件的制造方法
054 剥离方法以及制造半导体器件的方法
055 组合产品的制造系统和制造方法
056 半导体器件及其制造方法
057 图形形成方法
058 多晶硅膜的制造方法
059 铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
060 保护带的贴附和剥离方法
061 低介电常数材料层的制造方法
062 激光照射方法和激光照射器件以及制造半导体器件的方法
063 存储器封装工艺方法
064 内存的区段同步化测试方法与电路
065 用于旋转式托架的环形容器
066 防止金属导线间短路的方法
067 制造半导体集成电路的方法
068 制造集成半导体装置的方法、半导体装置和存储单元
069 扁平单元结构的掩膜只读存储器制造方法
070 用于高度湿敏电子器件元件的密封结构及其制造方法
071 利用通气孔和间隙的高湿敏性电子器部件及其制造方法
072 基板在芯片上的芯片阵列式球栅阵列封装的制造方法
073 具备过电压保护功能的集成电路承载基板
074 半导体集成电路装置、安装衬底和安装体
075 密钥安装系统和实现这一系统的LSI以及密钥安装方法
076 垂直取向的超小型熔断器和超小型电阻器的电路元件
077 具有双隧道结存储单元的存储器件
078 强电介质记忆装置及其制造方法
079 以一次可编程熔断器/抗熔断器组合为基础的存储单元
080 互补金属氧化物半导体器件
081 对比度检测能力强的半导体摄像元件
082 发光器件、发光器件驱动方法、以及电子设备
083 发光器件和使用该器件的电子设备
084 发光器件和采用该器件的电子设备
085 半导体放电管半导体芯片
086 一种大功率可关断半导体器件
087 具有硅化物膜的半导体装置以及半导体装置的制造方法
088 半导体装置及其制造方法
089 肖特基势垒二极管及其制造方法
090 透明的n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结及其制备
091 白色发光二极管的制造方法
092 采用有机量子阱结构作空穴传输层的有机电致发光器件
093 有机发光器件结构中具有重碱金属卤化物的溅射阴极
094 半导体发光元件和半导体发光装置
095 光发射单元、光发射单元组件和由多个光发射单元组装的发光设备
096 一种钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料、制备工艺及其用途
097 有机薄膜晶体管及制备方法
098 设有晶片输送机械臂用嵌入座的大气压下晶片输送模件及其实施方法
099 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
100 生产封装集成电路装置的方法及所生产的封装集成电路装置
101 静电吸盘,基座及其制造方法
102 采用平面薄膜电极的静电吸盘
103 在晶片级上形成的集成电路封装
104 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
105 内插装置
106 发光元件
107 压电元件
108 自供电遥控装置及包括该装置的电气设备和设施
109 半导体生产设备管理系统
110 多晶硅层的制作方法
111 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
112 结晶装置、结晶方法及相位转换机构
113 半导体元件的制造方法
114 集成电路制造方法
115 具应变通道层的晶圆的制作方法
116 单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
117 形成开口的方法
118 制造自装配微结构的方法
119 晶圆上的校正符号的清洁方法以及化学机械研磨制程后续再清洁制程的方法
120 半导体器件制造设备
121 蚀刻方法
122 非致冷红外焦平面器件用低应力复合介质膜的制备方法
123 激光装置、激光照射方法和半导体器件制造方法
124 具有磊晶基极双载子连接晶体管的自对准制造方法与结构
125 金属氧化物半导体电晶体的制造方法
126 具有导电凸块的覆晶基板及其导电凸块的制造方法
127 微电子器件可靠性快速评价方法
128 支撑装置
129 真空处理装置的有孔内部部件的涂覆方法及利用该方法涂覆的有孔内部部件
130 一种电容器和一种晶体管及其制造方法
131 形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程
132 半导体集成电路的设计方法
133 半导体器件
134 散热器及其制作方法
135 散热器及其制作方法
136 散热器的组合方法
137 散热装置组合
138 半导体封装及其制造方法
139 电子器件及其制造方法
140 静电放电保护电路
141 类似覆晶型的发光二极管组件封装
142 半导体装置
143 具有微机电系统的半导体器件
144 具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件
145 半导体器件
146 低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
147 一种快闪存储器结构及其制作方法
148 光纤电荷耦合器件及其制造方法
149 半导体器件及其制造方法
150 MOS晶体管及其制造方法
151 无铝珠析出的硅太阳电池背场合金配方
152 倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法
153 银栅线穿过TiOx层与Si欧姆接触的烧结工艺
154 发光二极管金属电极的制造方法及其制造装置
155 AlGaInP发光二极管组件
156 半导体器件和一种使用该半导体器件的光学器件
157 新型宽温域巨磁致伸缩材料及其制备方法
158 半导体芯片的制造方法
159 消去光刻胶与OSG之间的反应的方法
160 集成电路封装压力释放装置和方法
161 用改进的减反射元件封装的红外检测器
162 热电器件
163 整合与自动化作业的方法及系统
164 去除遮蔽对准标记物质的方法
165 ZnAl2O4/α-Al
166 γ-LiAlO2/α-Al2...
167 发光器件的制造方法
168 图案形成方法`
169 氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件
170 半导体制造装置的监控系统以及监控方法
171 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法
172 图案形成材料以及图案形成方法
173 制造半导体设备的方法和形成图案的方法
174 降低复晶硅层的反射率的方法
175 晶圆研磨环及其制造方法
176 等离子体处理装置和可变阻抗装置的校正方法
177 在铜金属图案表面形成密封层的方法
178 晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器
179 光加热装置
180 半导体器件的制造方法
181 形成半导体薄膜的方法和该方法使用的激光设备
182 利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法
183 利用反梯形栅极结构形成岵粼勇┘?姆椒?lt;BR>184 影像传感器封装法
185 制造半导体器件的方法、用于该方法的粘附薄片和半导体器件
186 测量金属氧化半导体场效晶体管有效电流通道长度的方法
187 具有利用激光方法成型的接触电极的接触器
188 计算实际增加的缺陷数目的方法
189 诸如晶片的基片的定量质量检验的方法和装置
190 芯片元件的搬送保持装置
191 半导体器件
192 浅沟槽隔离构造及其制造方法
193 形成双镶嵌结构的方法
194 自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术
195 防止金属挤出的方法
196 多层配线的形成方法及其检查方法
197 形成半导体器件的字线的方法
198 调整快闪存储单元启始电压的方法
199 动态随机存取存储器单元的形成方法
200 氮化物只读存储器存储单元的制造方法
201 半导体器件
202 用于封装电子器件的封盖及其制造方法
203 散热模组
204 半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器
205 半导体器件和半导体器件的制造方法
206 层间绝缘膜及其形成方法以及聚合物组合物
207 金属内连线结构
208 含钯和/或铂中间层的结构及其制作方法
209 用于芯片上静电放电保护的双极结晶体管及其方法
210 具有传输线类型噪声滤波器的电子电路
211 具有体偏置电路的半导体集成电路器件
212 双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法
213 存储器器件的结构及其制造方法
214 半导体器件及其制造方法
215 非挥发记忆胞元
216 半导体存储装置
217 图像拾取设备及其制造方法
218 固体摄像器件和使用该摄像器件的摄像机
219 摄像机模块及其制造方法


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