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无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法 CN201710184594.X
本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法,透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上,P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极,N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区,透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜...
更新:
2017-08-02 12:24:16
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