- 发明专利无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法 CN201710184594.X
- 本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法,透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上,P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极,N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区,透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜...
- 更新:2017-08-02 12:24:16 查阅全文...
- 发明专利一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法 CN201610935414.2
- 本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构,包括硅片基体;硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区,在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层,在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减...
- 更新:2017-05-10 12:32:06 查阅全文...
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