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发明专利一种高效异质结电池的边缘隔离方法 CN201610597577.4
本发明公开了一种高效异质结电池的边缘隔离方法,所述方法包括如下步骤:对硅片进行掩膜材料的涂覆处理形成掩膜涂层,且不对硅片两侧边缘的金属导电层和背金属电极进行涂覆;对涂覆处理后的硅片进行固化处理;将固化处理后的硅片放入酸性溶液中进行蚀刻处理,蚀刻掉硅片两侧...
更新:2018-02-08 12:53:38  查阅全文...
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